Считывание информации
— процесс длительный, включающий подготовительные операции. Вначале специальная схема предзаряда сообщает потенциал (опорное напряжение) обеим разрядным шинам. Схема также модифицирует ячейку, восстанавливая информационную емкость после чтения (откуда и название режима работы — чтение с модификацией)).
Далее для доступа к микросхеме памяти из контроллера ОЗУ поступают сигналы управления, которые переводят числовую шину в активное состояние. При этом на числовой шине ячейки также повышается потенциал, транзистор открывается и замыкает цепь: корпус — числовая шина 1.
Если емкость заряжена, она разряжается на числовую шину, повышая ее потенциал. Между числовыми шинами 1 и 2 возникает напряжение. Циркулирующий при этом ток создает на выходной шине заряд (единица). Если емкость не была заряжена, то на выходе формируется ток противоположного направления и с шины данных снимается ноль.
Процесс записи обратен считыванию.
Временных характеристик динамической памяти очень много, но важнейших — три:
время предзаряда памяти — представляет собой задержку, связанную с предварительным зарядом разрядных шин опорным напряжением;
время доступа к памяти — активизация числовой шины, в результате чего на выходную шину данных памяти выкладывается информация;
время цикла — состоит из задержек времени предзаряда и доступа.
Время задержки вывода данных DRAM измеряется величинами от десятков до сотен наносекунд.
Содержание Назад Вперед
Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий