DR
— разновидность быстрой динамической памяти с произвольным доступом. Основа архитектуры Rambus — банки памяти, «пронизанные» скоростным каналом. Канал представляет собой электрическую шину, подключающую элементы памяти к контроллеру и разъемам (рис. 11). Канал входит в модуль на одном его конце, проходит через все чипы и выходит на другом конце модуля.
Шина данных синхронизируется отвнешнего источника 400 МГц, как и DDR SDRAM, фронтом и срезом, благодаря чему тактовая частота синхронизации памяти — 800 МГц.
Структурные отличия модулей SDRAM и DR DRAM иллюстрирует рисунок 12.
Значительные усовершенствования в DR DRAM коснулись структуры и организации банков памяти. Если модуль DIMM SDRAM содержит всего лишь 4 банка, то 128 Мбит чип DR DRAM располагает 32 банками. Современные RIMM (Rambus In line Memory Module) могут содержать до 128 банков памяти.
Благодаря конвейеру, поток данных малыми порциями распределяется между банками таким образом, что потери времени при обращении к памяти минимальны. Распределение данных зависит от скорости заполнения каждого банка. Большое число банков позволяет эффективно использовать синхронную внутреннюю высокоскоростную магистраль данных.
Два канала данных (каждый шириной по байту) позволяют получить пиковую пропускную способность выходной шины данных до 3, 2 Гб/с. В дальнейшем для работы DR DRAM с процессором Pentium 4 планируется использовать ускоренную системную шину (533 МГц), разрабатываемую Intel. В планах альянса: к 2002 г. адаптировать DR DRAM для работы в соответствии со спецификацией PC1066, а к 2005 г. — PC1200. Таким образом, в 2005 г. планируется на базе 0,12 мкм технологии выпустить 32/64 разрядные модули ОЗУ с пропускной способностью памяти DR DRAM 9, 6 Гб/с.
