Оперативная память - статьи

         

Что может быть лучше «простой» SDRAM


Новые технологии синхронной памяти, многобитные модули ОЗУ, а также оптимизированные циклы группового обмена данными и пакетная передача сигналов управления действительно позволили повысить производительность системы. Хотя на доступ к ОЗУ расходуется и меньше тактов синхронизации, процент тактов ожидания процессора по-прежнему велик (рис. 9).

Преодолеть ограничения, присущие архитектуре традиционной DRAM, стало возможно благодаря технологии DR DRAM (Direct Rambus DRAM). Идейными вдохновителями движения Rambus стали корпорации Intel Corporation и Rambus Inc., заключившие в 1996 г. договор о сотрудничестве. Усилия альянса по созданию быстродействующего ОЗУ поддерживаются ведущими фирмами отрасли, такими как Micron, Samsung, Toshiba и др. (рис. 10).



Содержание раздела