Оперативная память - статьи



             

RDRAM - путь взлетов и падений - часть 3


Для того чтобы разгрузить шину, в нее введено искусственное занижение скорости работы Rambus-микросхем - поля пакета отсылаются с четырехтактовым интервалом.

Операция чтения также имеет свои особенности. Например, во время инициализации шины, производится нумерация чипов от контроллера и далее. После этой процедуры каждому чипу на основе полученного номера выдается значение задержки отправки данных в ответ на запрос о чтении некоторого целого числа тактов по принципу - чем ближе к контроллеру чип, тем большую задержку он для себя устанавливает. Как следствие, временные параметры операций записи выставляются таким образом, чтобы они совпадали с задержками, выставленными для чтения. Итог подобного "мошенничества" прост - контроллеру Rambus нет необходимости выдерживать искусственные задержки, присущие DDR-памяти, у него всегда наготове ячейки памяти.

Что касается будущего данной технологии, по мнению компании Rambus, в сфере ПК оно связано с набором расширений RDRAM под название Yellowstone. Эта более быстрая сигнальная технология подразумевает смену сигнальной архитектуры Quad Rambus Signaling Level на еще более эффективное решение. Речь идет о новой технологии ввода/вывода, которая была названа ячейкой RaSer (Rambus Serializer/Deserializer). Под "ячейкой" в данном случае понимается любой элемент набора микросхем. Технологию RaSer можно использовать для организации связи между отдельными микросхемами или платами. Она способна заметно увеличить скорость передачи данных через маршрутизаторы глобальных сетей, а также через интерфейсы Fibre Channel, Gigabit Ethernet и InfiniBand. В настоящее время существуют одно-, двух- и четырехканальные конфигурации ячеек. Четырехканальная конфигурация обеспечивает пересылку информации со скоростью до 12,5 Гбит/с в каждом направлении.

Интереснейшая особенность Yellowstone - технология FlexPhase, назначение которой в автоподстройке фаз сигналов данных и адреса для упрощения разработки межчиповых соединений. FlexPhase выравнивает данные по частоте, упрощая расчеты длин линий шин и проектирование печатных плат.Обещают, что ее действие не будет вносить задержек в работу интерфейса. Хочется верить, что интеграция этой технологии в микросхемы памяти не приведет к их значительному удорожанию. Уже существуют тестовые образцы чипов по техпроцессу 0,13 мк, реализующие технологию FlexPhase. В итоге, Yellowstone сможет предложить пропускную способность (с учетом двунаправленной шины), превосходящую DDRII в четыре раза.


Содержание  Назад  Вперед